股票代碼：300236.SZ
銅互連是現(xiàn)代芯片的“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”。它如同微觀世界的導(dǎo)線，負(fù)責(zé)在數(shù)十億晶體管間傳輸電信號(hào)，是信息流通的命脈。其優(yōu)異的導(dǎo)電性和低功耗特性，是芯片實(shí)現(xiàn)高速度、高性能與小尺寸的關(guān)鍵。
了解更多清洗液是芯片制造過(guò)程中用于清除晶圓表面污染物的一系列關(guān)鍵化學(xué)試劑，其純度、性能和穩(wěn)定性直接決定了半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性。
了解更多蝕刻液是芯片濕蝕刻工藝中的關(guān)鍵材料，以氫氟酸、硝酸等為主要成分，通過(guò)氧化還原反應(yīng)實(shí)現(xiàn)精密蝕刻，廣泛應(yīng)用于芯片制造。
了解更多光刻膠是光刻工藝的核心感光材料，通過(guò)涂布、曝光與顯影，將掩模版上的電路設(shè)計(jì)精準(zhǔn)定義在晶圓表面，形成可供后續(xù)蝕刻或離子植入的圖形屏障。
了解更多化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。集成電路元件普遍采用多層立體布線，前道制造工藝環(huán)節(jié)要進(jìn)行多次循環(huán)。在此過(guò)程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，推進(jìn)制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)升級(jí)的重要環(huán)節(jié)。
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引線框架電鍍和清洗設(shè)備是傳統(tǒng)封裝流程的核心設(shè)備，通過(guò)軟化、剝離工藝去除框架表面油污、氧化層等污染物，以高效電鍍工藝在引線框架表面制備均勻金屬鍍層，兼顧生產(chǎn)效率與鍍層質(zhì)量，助力優(yōu)化器件導(dǎo)電、焊接等關(guān)鍵性能；先進(jìn)封裝晶圓濕法制程設(shè)備，與濕法電子級(jí)化學(xué)品配合使用，對(duì)晶圓等產(chǎn)品進(jìn)行去膠、顯影、蝕刻、清洗、電鍍、化學(xué)鍍等處理的核心裝備；與濕法工藝相結(jié)合，各工藝槽體和各工段模塊化設(shè)計(jì)，各種模塊應(yīng)用于Bump（凸塊）工藝、 TSV（硅通孔）工藝、RDL（重布線層）工藝。
了解更多劃片刀是實(shí)現(xiàn)晶圓精密切割、形成獨(dú)立芯片單元的核心工具。針對(duì)不同材質(zhì)與工藝的芯片，需精準(zhǔn)匹配不同規(guī)格的劃片刀，以確保切割質(zhì)量與芯片良率。
了解更多始終堅(jiān)持面向國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求，始終堅(jiān)持面向全球集成電路關(guān)鍵工藝材料前沿技術(shù)，
始終堅(jiān)持自主研發(fā)持續(xù)創(chuàng)新，始終堅(jiān)持填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白實(shí)現(xiàn)集成電路關(guān)鍵工藝材料高端技術(shù)自主可控。
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